半导体器件以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410709104.X

申请日：

2014-11-28

公开(公告)号：

CN104681617B

公开(公告)日：

2015-06-03

发明(设计)人：

井上隆竹胁利至中山达峰冈本康宏宫本广信

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29778 H01L2329 H01L21336 H01L21335

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723446609 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201410709104X 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2015-06-03	公开	公开
2020-02-18	授权	授权
2016-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101694610531 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201410709104X 申请日:20141128

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[2]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

山内尚 ;

西义史 ;

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 ;

加藤弘一 .

中国专利 :CN101330055A ,2008-12-24

[3]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16

[4]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

宫本广信 ;

冈本康宏 ;

川口宏 ;

中山达峰 .

中国专利 :CN107275397A ,2017-10-20

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN110556293B ,2024-03-08

[10]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

千大焕 ;

郑永均 ;

周洛龙 ;

朴正熙 ;

李钟锡 .

中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24

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