半导体器件的制造方法以及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810125334.6
申请日
2008-06-20
公开(公告)号
CN101330055A
公开(公告)日
2008-12-24
发明(设计)人
山内尚 西义史 木下敦宽 土屋义规 古贺淳二 加藤弘一
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L218238
IPC分类号
H01L27092
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
金春实
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
井上隆 ;
竹胁利至 ;
中山达峰 ;
冈本康宏 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03
[2]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
山口直 .
中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16
[3]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
宫本广信 ;
冈本康宏 ;
川口宏 ;
中山达峰 .
中国专利 :CN107275397A ,2017-10-20
[4]
半导体器件及半导体器件的制造方法 [P]. 
外园明 .
中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29
[5]
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P]. 
千大焕 ;
郑永均 ;
周洛龙 ;
朴正熙 ;
李钟锡 .
中国专利 :CN107958936A ,2018-04-24
[6]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
井上隆 ;
中山达峰 ;
冈本康宏 ;
川口宏 ;
竹胁利至 ;
名仓延宏 ;
永井隆行 ;
三浦喜直 ;
宫本广信 .
中国专利 :CN104218079A ,2014-12-17
[7]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
津田是文 .
中国专利 :CN112736089A ,2021-04-30
[8]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
幸康一郎 ;
斋藤彻 ;
久保实 ;
大仲清司 ;
浅井明 ;
片山幸治 .
中国专利 :CN1260595A ,2000-07-19
[9]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
藤田和司 ;
江间泰示 ;
小川裕之 .
中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05
[10]
半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P]. 
鸣海俊一 .
中国专利 :CN108336089A ,2018-07-27