半导体器件以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00100291.0

申请日：

2000-01-14

公开(公告)号：

CN1260595A

公开(公告)日：

2000-07-19

发明(设计)人：

幸康一郎斋藤彻久保实大仲清司浅井明片山幸治

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2902

IPC分类号：

H01L29772 H01L21335

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汪惠民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2000-07-19	公开	公开
2011-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101059689809 IPC(主分类):H01L 29/02 专利号:ZL001002910 申请日:20000114 授权公告日:20050112 终止日期:20100222
2005-01-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[2]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[3]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

竹胁利至 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

金炳烈 ;

大谷洋一 ;

陈晓萌 .

中国专利 :CN101140933B ,2008-03-12

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

津田是文 .

中国专利 :CN112736089A ,2021-04-30

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

后藤洋太郎 ;

永久克己 ;

野村佳广 .

中国专利 :CN113745323A ,2021-12-03

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

渡边昌崇 ;

河野直哉 ;

菊地健彦 .

日本专利 :CN110970411B ,2024-09-10

[9]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

仙石直久 ;

松元道一 .

中国专利 :CN1316559C ,2004-08-04

[10]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

山内尚 ;

西义史 ;

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 ;

加藤弘一 .

中国专利 :CN101330055A ,2008-12-24

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