半导体器件以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910919132.7

申请日：

2019-09-26

公开(公告)号：

CN110970411B

公开(公告)日：

2024-09-10

发明(设计)人：

渡边昌崇河野直哉菊地健彦

申请人：

住友电气工业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L25/16

IPC分类号：

H01L23/31 H01L21/60 H01L23/485 G02F1/025

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

顾红霞;龙涛峰

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

渡边昌崇 ;

河野直哉 ;

菊地健彦 .

中国专利 :CN110970411A ,2020-04-07

[2]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

内田慎一 ;

藏本贵文 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN108242443B ,2018-07-03

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

中村哲一 ;

尾崎史朗 ;

武田正行 ;

宫岛丰生 ;

多木俊裕 ;

金村雅仁 ;

今西健治 ;

吉川俊英 ;

渡部庆二 .

中国专利 :CN102646702A ,2012-08-22

[6]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

远藤浩 ;

多木俊裕 ;

吉川俊英 .

中国专利 :CN102569379B ,2012-07-11

[7]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[8]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

[9]

半导体器件、半导体器件的制造方法以及半导体器件的识别方法 [P].

白泷穗高 ;

尾上和之 .

日本专利 :CN118891795A ,2024-11-01

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

高地泰三 ;

胁山悟 .

中国专利 :CN103681711A ,2014-03-26

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