半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110408970.1

申请日：

2011-12-06

公开(公告)号：

CN102569379B

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

远藤浩多木俊裕吉川俊英

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

郝新慧;张浴月

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	授权	授权
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324732966 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2011104089701 申请日:20111206
2012-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[2]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

[3]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[4]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

渡边昌崇 ;

河野直哉 ;

菊地健彦 .

日本专利 :CN110970411B ,2024-09-10

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

内田慎一 ;

藏本贵文 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN108242443B ,2018-07-03

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

渡边昌崇 ;

河野直哉 ;

菊地健彦 .

中国专利 :CN110970411A ,2020-04-07

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

中村哲一 ;

尾崎史朗 ;

武田正行 ;

宫岛丰生 ;

多木俊裕 ;

金村雅仁 ;

今西健治 ;

吉川俊英 ;

渡部庆二 .

中国专利 :CN102646702A ,2012-08-22

[9]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

C·艾希勒 ;

U·施特劳斯 .

中国专利 :CN101983461A ,2011-03-02

[10]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

中村哲一 ;

山田敦史 ;

石黑哲郎 ;

小谷淳二 ;

今西健治 .

中国专利 :CN103715248A ,2014-04-09

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