半导体器件、半导体器件的制造方法以及半导体器件的识别方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280093564.7

申请日：

2022-03-30

公开(公告)号：

CN118891795A

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

白泷穗高尾上和之

申请人：

三菱电机株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01S5/227

IPC分类号：

G06V20/80 G06T7/00 H01L21/02 H01L23/00

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	公开	公开
2024-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/227申请日:20220330

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[2]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[3]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

渡边昌崇 ;

河野直哉 ;

菊地健彦 .

日本专利 :CN110970411B ,2024-09-10

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

内田慎一 ;

藏本贵文 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN108242443B ,2018-07-03

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

渡边昌崇 ;

河野直哉 ;

菊地健彦 .

中国专利 :CN110970411A ,2020-04-07

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

中村哲一 ;

尾崎史朗 ;

武田正行 ;

宫岛丰生 ;

多木俊裕 ;

金村雅仁 ;

今西健治 ;

吉川俊英 ;

渡部庆二 .

中国专利 :CN102646702A ,2012-08-22

[7]

半导体器件以及制造所述半导体器件的方法 [P].

青木武志 .

中国专利 :CN101908525A ,2010-12-08

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101621073A ,2010-01-06

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

馆下八州志 .

中国专利 :CN101304028A ,2008-11-12

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

富士原明 .

中国专利 :CN101901798B ,2010-12-01

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