半导体器件以及制造所述半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010196500.9

申请日：

2010-06-03

公开(公告)号：

CN101908525A

公开(公告)日：

2010-12-08

发明(设计)人：

青木武志

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L23528

IPC分类号：

H01L27146 H01L21768

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

杨国权

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-19	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/528 申请日:20100603 授权公告日:20141224 终止日期:20170603
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101034888322 IPC(主分类):H01L 23/528 专利申请号:2010101965009 申请日:20100603
2010-12-08	公开	公开
2014-12-24	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体器件的制造方法以及半导体器件的识别方法 [P].

白泷穗高 ;

尾上和之 .

日本专利 :CN118891795A ,2024-11-01

[2]

半导体器件制造方法以及半导体器件制造设备 [P].

畠中正信 ;

津曲加奈子 ;

石川道夫 .

中国专利 :CN102290372A ,2011-12-21

[3]

半导体器件制造方法以及半导体器件制造设备 [P].

畠中正信 ;

津曲加奈子 ;

石川道夫 .

中国专利 :CN101627459A ,2010-01-13

[4]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101621073A ,2010-01-06

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

馆下八州志 .

中国专利 :CN101304028A ,2008-11-12

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

富士原明 .

中国专利 :CN101901798B ,2010-12-01

[8]

半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

隈川隆博 ;

内海胜喜 ;

松岛芳宏 ;

松浦正美 .

中国专利 :CN1819159A ,2006-08-16

[9]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[10]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

幸康一郎 ;

斋藤彻 ;

久保实 ;

大仲清司 ;

浅井明 ;

片山幸治 .

中国专利 :CN1260595A ,2000-07-19

← 1 2 3 4 5 →