半导体器件制造方法以及半导体器件制造设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880006286.7

申请日：

2008-02-25

公开(公告)号：

CN101627459A

公开(公告)日：

2010-01-13

发明(设计)人：

畠中正信津曲加奈子石川道夫

申请人：

申请人地址：

日本国神奈川县

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

C23C1634 H01L2128 H01L21318 H01L213205 H01L2352

代理机构：

上海金盛协力知识产权代理有限公司

代理人：

段迎春

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-04	文件的公告送达	文件的公告送达号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003747687 IPC(主分类):H01L 21/285 专利号:无专利申请号:2008800062867 收件人:段迎春文件名称:发明专利申请公布及进入实质审查通知书
2010-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-02-29	授权	授权
2010-01-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法以及半导体器件制造设备 [P].

畠中正信 ;

津曲加奈子 ;

石川道夫 .

中国专利 :CN102290372A ,2011-12-21

[2]

制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体制造设备 [P].

别宫史浩 .

中国专利 :CN101964308A ,2011-02-02

[3]

半导体器件以及制造所述半导体器件的方法 [P].

青木武志 .

中国专利 :CN101908525A ,2010-12-08

[4]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[5]

半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

隈川隆博 ;

内海胜喜 ;

松岛芳宏 ;

松浦正美 .

中国专利 :CN1819159A ,2006-08-16

[6]

半导体器件以及半导体器件制造方法 [P].

千野根崇子 ;

梁吉镐 ;

柴田康之 ;

东野二郎 .

中国专利 :CN101764185B ,2010-06-30

[7]

半导体器件、半导体器件的制造方法以及半导体器件的识别方法 [P].

白泷穗高 ;

尾上和之 .

日本专利 :CN118891795A ,2024-11-01

[8]

半导体器件制造方法以及半导体安装基板 [P].

仓科守 ;

水谷大辅 .

中国专利 :CN104064514A ,2014-09-24

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

沼田英夫 ;

江泽弘和 ;

田窪知章 ;

高桥健司 ;

青木秀夫 ;

原田享 ;

金子尚史 ;

池上浩 ;

松尾美惠 ;

大村一郎 .

中国专利 :CN1758430A ,2006-04-12

[10]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

长田昌也 .

中国专利 :CN107425028B ,2017-12-01

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