半导体器件及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910152346.2

申请日：

2009-06-30

公开(公告)号：

CN101621073A

公开(公告)日：

2010-01-06

发明(设计)人：

山川真弥

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L2951 H01L2949 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

彭久云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-01-06	公开	公开
2013-10-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101668470538 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009101523462 申请公布日:20100106

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

馆下八州志 .

中国专利 :CN101304028A ,2008-11-12

[3]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

裴在俊 .

中国专利 :CN101266942A ,2008-09-17

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

富士原明 .

中国专利 :CN101901798B ,2010-12-01

[5]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[6]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

谷垣勇刚 ;

藤原健典 .

中国专利 :CN106133876A ,2016-11-16

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

长田昌也 .

中国专利 :CN107425028B ,2017-12-01

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[10]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

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