半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610002412.4

申请日：

2006-01-27

公开(公告)号：

CN1841706A

公开(公告)日：

2006-10-04

发明(设计)人：

本间俊广

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-10-04	公开	公开
2009-08-12	授权	授权
2012-04-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101217909998 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利号:ZL2006100024124 申请日:20060127 授权公告日:20090812 终止日期:20110127
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

山本知成 ;

久保智裕 .

中国专利 :CN1945801B ,2007-04-11

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[5]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[6]

制造半导体器件的方法 [P].

冈治成治 .

中国专利 :CN105679677B ,2016-06-15

[7]

半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置 [P].

冈治成治 .

中国专利 :CN102856381A ,2013-01-02

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

竹胁利至 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

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