半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210219006.9

申请日：

2012-06-28

公开(公告)号：

CN102856381A

公开(公告)日：

2013-01-02

发明(设计)人：

冈治成治

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2951 H01L21336

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101522530976 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012102190069 申请日:20120628
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722592739 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012102190069 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2013-01-02	公开	公开
2016-04-13	授权	授权
2019-06-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20120628 授权公告日:20160413 终止日期:20180628

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

冈治成治 .

中国专利 :CN105679677B ,2016-06-15

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

内田慎一 ;

藏本贵文 ;

中柴康隆 .

中国专利 :CN108242443B ,2018-07-03

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[7]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

岛昌司 .

中国专利 :CN103208494A ,2013-07-17

[8]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

R.鲁道夫 ;

T.施勒泽 ;

R.魏斯 .

中国专利 :CN103579233A ,2014-02-12

[9]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[10]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

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