半导体器件以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010431545.3

申请日：

2020-05-20

公开(公告)号：

CN112103288A

公开(公告)日：

2020-12-18

发明(设计)人：

清水二二男可知刚吉田芳规

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2702 H01L2182

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20200520
2020-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[2]

半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块 [P].

柳川洋 ;

中柴康隆 ;

森和久 ;

长谷川浩一 .

日本专利 :CN118352236A ,2024-07-16

[3]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[4]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

岛昌司 .

中国专利 :CN103208494A ,2013-07-17

[5]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

R.鲁道夫 ;

T.施勒泽 ;

R.魏斯 .

中国专利 :CN103579233A ,2014-02-12

[6]

半导体器件、半导体器件的制造方法以及芯片 [P].

张露 ;

黄元琪 ;

温雅楠 ;

吴俊慷 ;

丁泊宁 ;

赵智彪 ;

许俊豪 .

中国专利 :CN117747618A ,2024-03-22

[7]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

S·J·克斯特 ;

A·马宗达 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

安内特·文策尔 ;

拉尔斯·穆勒-梅什坎普 ;

汤姆·彼得亨泽尔 ;

法比安·盖森霍夫 ;

托尔斯滕·赫尔姆 ;

迪尔克·曼格尔 .

:CN118866961A ,2024-10-29

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