半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310017003.1

申请日：

2013-01-17

公开(公告)号：

CN103208494A

公开(公告)日：

2013-07-17

发明(设计)人：

岛昌司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横滨市

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L218238 H01L21336

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

郝新慧;张浴月

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101506928904 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2013100170031 申请日:20130117
2020-12-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20130117 授权公告日:20160601 终止日期:20200117
2013-07-17	公开	公开
2016-06-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

R.鲁道夫 ;

T.施勒泽 ;

R.魏斯 .

中国专利 :CN103579233A ,2014-02-12

[2]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1949538A ,2007-04-18

[4]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[5]

半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块 [P].

柳川洋 ;

中柴康隆 ;

森和久 ;

长谷川浩一 .

日本专利 :CN118352236A ,2024-07-16

[6]

半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置 [P].

冈治成治 .

中国专利 :CN102856381A ,2013-01-02

[7]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

赤星知幸 .

中国专利 :CN103515358A ,2014-01-15

[8]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

小路博信 ;

下村明久 ;

古山将树 .

中国专利 :CN1581439A ,2005-02-16

[9]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

中村哲一 ;

山田敦史 ;

石黑哲郎 ;

小谷淳二 ;

今西健治 .

中国专利 :CN103715248A ,2014-04-09

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

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