半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201310333206.1
申请日
2013-08-02
公开(公告)号
CN103579233A
公开(公告)日
2014-02-12
发明(设计)人
R.鲁道夫 T.施勒泽 R.魏斯
申请人
申请人地址
德国德累斯顿
IPC主分类号
H01L27088
IPC分类号
H01L218232
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
马红梅;刘春元
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P]. 
岛昌司 .
中国专利 :CN103208494A ,2013-07-17
[2]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
清水二二男 ;
可知刚 ;
吉田芳规 .
中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18
[3]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
丁明镇 .
中国专利 :CN1949538A ,2007-04-18
[4]
半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P]. 
藤田和司 ;
江间泰示 ;
小川裕之 .
中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05
[5]
半导体器件、制造半导体器件的方法、以及半导体模块 [P]. 
柳川洋 ;
中柴康隆 ;
森和久 ;
长谷川浩一 .
日本专利 :CN118352236A ,2024-07-16
[6]
半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置 [P]. 
冈治成治 .
中国专利 :CN102856381A ,2013-01-02
[7]
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P]. 
赤星知幸 .
中国专利 :CN103515358A ,2014-01-15
[8]
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P]. 
小路博信 ;
下村明久 ;
古山将树 .
中国专利 :CN1581439A ,2005-02-16
[9]
半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P]. 
中村哲一 ;
山田敦史 ;
石黑哲郎 ;
小谷淳二 ;
今西健治 .
中国专利 :CN103715248A ,2014-04-09
[10]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
A.迈泽 ;
T.施勒泽 .
中国专利 :CN103855221A ,2014-06-11