半导体器件以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610132154.1

申请日：

2006-10-12

公开(公告)号：

CN1949538A

公开(公告)日：

2007-04-18

发明(设计)人：

丁明镇

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

王玉双

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-04-18	公开	公开
2010-01-06	授权	授权
2014-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101590130453 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2006101321541 申请日:20061012 授权公告日:20100106 终止日期:20131012
2007-06-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

岛昌司 .

中国专利 :CN103208494A ,2013-07-17

[2]

半导体器件以及用于制造半导体器件的方法 [P].

R.鲁道夫 ;

T.施勒泽 ;

R.魏斯 .

中国专利 :CN103579233A ,2014-02-12

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[4]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

S·J·克斯特 ;

A·马宗达 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

安内特·文策尔 ;

拉尔斯·穆勒-梅什坎普 ;

汤姆·彼得亨泽尔 ;

法比安·盖森霍夫 ;

托尔斯滕·赫尔姆 ;

迪尔克·曼格尔 .

:CN118866961A ,2024-10-29

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

戈登·M·格里芙尼亚 .

中国专利 :CN108538732A ,2018-09-14

[9]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

吉川俊英 .

中国专利 :CN103715244B ,2014-04-09

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

后藤洋太郎 ;

永久克己 ;

野村佳广 .

中国专利 :CN113745323A ,2021-12-03

← 1 2 3 4 5 →