半导体器件以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410505595.X

申请日：

2024-04-25

公开(公告)号：

CN118866961A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

安内特·文策尔拉尔斯·穆勒-梅什坎普汤姆·彼得亨泽尔法比安·盖森霍夫托尔斯滕·赫尔姆迪尔克·曼格尔

申请人：

英飞凌科技奥地利有限公司

申请人地址：

奥地利

IPC主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L21/336 H01L29/40

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王爽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[2]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

[3]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

S·J·克斯特 ;

A·马宗达 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

大西泰彦 .

中国专利 :CN102163621A ,2011-08-24

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

戈登·M·格里芙尼亚 .

中国专利 :CN108538732A ,2018-09-14

[6]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1949538A ,2007-04-18

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

后藤洋太郎 ;

永久克己 ;

野村佳广 .

中国专利 :CN113745323A ,2021-12-03

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[9]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

仙石直久 ;

松元道一 .

中国专利 :CN1316559C ,2004-08-04

[10]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

陈俊宏 ;

谢志宏 ;

廖忠志 .

中国专利 :CN110648973A ,2020-01-03

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