半导体器件以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010192411.7

申请日：

2010-05-27

公开(公告)号：

CN101908561B

公开(公告)日：

2010-12-08

发明(设计)人：

S·J·克斯特 A·马宗达蔡劲

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27088 H01L21336

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

于静;杨晓光

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-13	授权	授权
2017-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20171108 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2017-11-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/78 登记生效日:20171108 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2010-12-08	公开	公开
2011-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101032287806 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010101924117 申请日:20100527

共 50 条

[1]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[2]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

中国专利 :CN113471144A ,2021-10-01

[3]

用于制造半导体器件的方法、半导体器件以及半导体衬底 [P].

羽中田忠浩 .

日本专利 :CN113471144B ,2025-06-13

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

高地泰三 ;

胁山悟 .

中国专利 :CN103681711A ,2014-03-26

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

清水二二男 ;

可知刚 ;

吉田芳规 .

中国专利 :CN112103288A ,2020-12-18

[6]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[7]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

寒河江美友 ;

佐佐木文雄 .

中国专利 :CN101145578A ,2008-03-19

[9]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

蔡宗裔 ;

陈燕铭 ;

李宗霖 ;

何柏慷 .

中国专利 :CN110648971A ,2020-01-03

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019A ,2021-12-31

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