制造半导体器件的方法以及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910112315.8

申请日：

2019-02-13

公开(公告)号：

CN110648971A

公开(公告)日：

2020-01-03

发明(设计)人：

蔡宗裔陈燕铭李宗霖何柏慷

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21324 H01L27092

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-03	公开	公开
2020-02-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20190213
2022-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

高地泰三 ;

胁山悟 .

中国专利 :CN103681711A ,2014-03-26

[2]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

[3]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

寒河江美友 ;

佐佐木文雄 .

中国专利 :CN101145578A ,2008-03-19

[4]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

S·J·克斯特 ;

A·马宗达 ;

蔡劲 .

中国专利 :CN101908561B ,2010-12-08

[5]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019A ,2021-12-31

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019B ,2024-07-02

[7]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

吉川俊英 .

中国专利 :CN103715244B ,2014-04-09

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

渡边昌崇 ;

河野直哉 ;

菊地健彦 .

日本专利 :CN110970411B ,2024-09-10

[10]

制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

江宏礼 ;

郑兆钦 ;

陈志良 ;

陈自强 ;

郭大鹏 ;

杨玉麟 ;

陈奕升 ;

黄思维 .

中国专利 :CN109427905A ,2019-03-05

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