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半导体器件以及半导体器件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310630372.1
申请日：
2023-05-30
公开(公告)号：
CN117393596A
公开(公告)日：
2024-01-12
发明(设计)人：
杜子明
杜卫星
游政昇
申请人：
英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请人地址：
519085 广东省珠海市高新区金园二路39号
IPC主分类号：
H01L29/778
IPC分类号：
H01L21/335
H01L29/06
代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人：
常芳
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20230530 |
| 2024-01-12 | 公开 | 公开 |