半导体发光器件以及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610077689.3

申请日：

2006-04-28

公开(公告)号：

CN100477304C

公开(公告)日：

2006-11-01

发明(设计)人：

S·E·霍珀 V·鲍斯奎特 J·赫弗尔南

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2120 H01L21324 H01S500

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

张政权

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20060428 授权公告日:20090408 终止日期:20180428
2006-11-01	公开	公开
2006-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[2]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[3]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[4]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

高谷邦启 ;

花冈大介 ;

石田真也 .

中国专利 :CN101222117B ,2008-07-16

[5]

制造半导体发光器件的方法 [P].

许元九 ;

申永澈 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN102456792A ,2012-05-16

[6]

制造半导体发光器件的方法 [P].

崔承奎 ;

郭雨澈 ;

金材宪 ;

郑廷桓 ;

张三硕 .

中国专利 :CN104518062B ,2015-04-15

[7]

制造半导体发光器件的方法 [P].

孙秀亨 ;

金敬镇 ;

曹元根 ;

高恩美 ;

黄亨善 .

中国专利 :CN102412348A ,2012-04-11

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

杜子明 ;

杜卫星 ;

游政昇 .

中国专利 :CN117393596A ,2024-01-12

[9]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

陈扶 ;

何川 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113130643B ,2021-07-16

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019A ,2021-12-31

← 1 2 3 4 5 →