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半导体器件以及制造半导体器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110404325.6
申请日
:
2020-12-18
公开(公告)号
:
CN113130645A
公开(公告)日
:
2021-07-16
发明(设计)人
:
郝荣晖
陈扶
何川
黄敬源
申请人
:
申请人地址
:
215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L2906
H01L21335
代理机构
:
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588
代理人
:
王琴;曹玉存
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-08-03
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20201218
2021-07-16
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
郝荣晖
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郝荣晖
;
陈扶
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陈扶
;
何川
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何川
;
黄敬源
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黄敬源
.
中国专利
:CN113130643B
,2021-07-16
[2]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
郝荣晖
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郝荣晖
;
黄敬源
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黄敬源
.
中国专利
:CN113875019A
,2021-12-31
[3]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
郝荣晖
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
郝荣晖
;
黄敬源
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
黄敬源
.
中国专利
:CN113875019B
,2024-07-02
[4]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
郝荣晖
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郝荣晖
;
陈扶
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陈扶
;
何川
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何川
;
黄敬源
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黄敬源
.
中国专利
:CN113130644A
,2021-07-16
[5]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
郝荣晖
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郝荣晖
;
陈扶
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陈扶
;
何川
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何川
;
黄敬源
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黄敬源
.
中国专利
:CN112771677A
,2021-05-07
[6]
半导体器件以及半导体器件的制造方法
[P].
杜子明
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
杜子明
;
杜卫星
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
杜卫星
;
游政昇
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机构:
英诺赛科(珠海)科技有限公司
英诺赛科(珠海)科技有限公司
游政昇
.
中国专利
:CN117393596A
,2024-01-12
[7]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
郝荣晖
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郝荣晖
;
黄敬源
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黄敬源
.
中国专利
:CN113875020A
,2021-12-31
[8]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
张玉龙
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张玉龙
;
欧阳爵
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欧阳爵
;
黄巍
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黄巍
;
游政昇
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游政昇
.
中国专利
:CN114586175A
,2022-06-03
[9]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
郝荣晖
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郝荣晖
;
黄敬源
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黄敬源
.
中国专利
:CN112331719B
,2021-02-05
[10]
半导体发光器件以及半导体器件的制造方法
[P].
S·E·霍珀
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S·E·霍珀
;
V·鲍斯奎特
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V·鲍斯奎特
;
J·赫弗尔南
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J·赫弗尔南
.
中国专利
:CN100477304C
,2006-11-01
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