半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610139687.2

申请日：

2006-09-28

公开(公告)号：

CN1945801B

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

山本知成久保智裕

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张龙哺

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038410015 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2006101396872 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:日本神奈川县横浜市变更后:日本神奈川县横浜市
2008-12-10	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移) 变更后权利人:日本东京都登记生效日:20081107 变更前权利人:日本神奈川县川崎市变更事项:申请人变更前权利人:富士通株式会社变更后权利人:富士通微电子株式会社变更事项:地址
2020-09-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20060928 授权公告日:20100512 终止日期:20190928
2007-04-11	公开	公开
2010-11-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101038410014 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2006101396872 变更事项:专利权人变更前:富士通微电子株式会社变更后:富士通微电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县横浜市
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-05-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

本间俊广 .

中国专利 :CN1841706A ,2006-10-04

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[4]

制造半导体器件的方法 [P].

冈治成治 .

中国专利 :CN105679677B ,2016-06-15

[5]

半导体器件、制造半导体器件的方法以及电子装置 [P].

冈治成治 .

中国专利 :CN102856381A ,2013-01-02

[6]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[8]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[9]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

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