半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111563873.X

申请日：

2016-02-18

公开(公告)号：

CN114242719A

公开(公告)日：

2022-03-25

发明(设计)人：

天羽生淳

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2711568 H01L2711573

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20160218
2022-03-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN114242719B ,2025-11-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN105977254B ,2016-09-28

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN106024792A ,2016-10-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

山越英明 ;

桥本孝司 ;

阿部真一郎 ;

大水祐人 .

中国专利 :CN108878427A ,2018-11-23

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

时田裕文 ;

绪方完 .

中国专利 :CN105826325A ,2016-08-03

[6]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[7]

半导体器件及其制造工艺 [P].

东野智彦 ;

胜木信幸 ;

川胜康弘 ;

小林道弘 .

中国专利 :CN101266973B ,2008-09-17

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

菅谷慎二 ;

桥本浩一 ;

鹰尾义弘 .

中国专利 :CN1734769A ,2006-02-15

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

永井孝一 ;

菊池秀明 ;

佐次田直也 ;

尾崎康孝 .

中国专利 :CN101299429A ,2008-11-05

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

小西纲一 ;

丸山隆弘 ;

镰田拓步 ;

河合彻 .

日本专利 :CN121013357A ,2025-11-25

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