半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610053633.8

申请日：

2016-01-26

公开(公告)号：

CN105826325A

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

时田裕文绪方完

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L218247 H01L29423

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-16	授权	授权
2018-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20160126
2016-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

绪方完 .

中国专利 :CN106024889A ,2016-10-12

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉富敦司 ;

川岛祥之 .

中国专利 :CN107819040A ,2018-03-20

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

大和田福夫 .

中国专利 :CN104637947A ,2015-05-20

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

三原龙善 .

中国专利 :CN105655339A ,2016-06-08

[5]

制造半导体器件的方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN105914211A ,2016-08-31

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

许佑凌 ;

施宏霖 ;

邱捷飞 ;

刘珀玮 ;

黄文铎 ;

才永轩 ;

杨世匡 .

中国专利 :CN108183105B ,2018-06-19

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸟羽功一 ;

石井泰之 ;

川岛祥之 ;

町田悟 ;

中川宗克 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN101051652B ,2007-10-10

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金冈龙范 ;

川原孝昭 .

中国专利 :CN103311286A ,2013-09-18

[9]

制造半导体器件的方法 [P].

川嶋祥之 ;

吉田省史 .

中国专利 :CN105489557A ,2016-04-13

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

塚本惠介 ;

三原龙善 .

中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13

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