半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710092268.2

申请日：

2007-04-03

公开(公告)号：

CN101051652B

公开(公告)日：

2007-10-10

发明(设计)人：

鸟羽功一石井泰之川岛祥之町田悟中川宗克桥本孝司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L29423 H01L2949 H01L27115 H01L21336 H01L2128 H01L218247

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-10	公开	公开
2010-10-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101034585616 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2007100922682 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20100913
2017-12-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2011-05-18	授权	授权
2009-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

绪方完 .

中国专利 :CN106024889A ,2016-10-12

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

吉富敦司 ;

川岛祥之 .

中国专利 :CN107819040A ,2018-03-20

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

三原龙善 .

中国专利 :CN105655339A ,2016-06-08

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

金冈龙范 ;

川原孝昭 .

中国专利 :CN103311286A ,2013-09-18

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

塚本惠介 ;

三原龙善 .

中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

筱原正昭 .

中国专利 :CN107039454A ,2017-08-11

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

时田裕文 ;

绪方完 .

中国专利 :CN105826325A ,2016-08-03

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

志波和佳 .

中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

大和田福夫 .

中国专利 :CN104637947A ,2015-05-20

[10]

制造半导体器件的方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN105914211A ,2016-08-31

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