半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410032835.5

申请日：

2014-01-23

公开(公告)号：

CN103985673B

公开(公告)日：

2014-08-13

发明(设计)人：

塚本惠介三原龙善

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2711563

IPC分类号：

H01L2711531 H01L2711568 H01L2711521 H01L2711573 H01L2128 H01L2949 H01L2945 H01L29423 H01L2951 H01L213213 H01L213205 H01L21285 H01L213105 H01L21311 H01L21265 H01L21283 H01L21324 H01L29788 H01L21336

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;张宁

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法 [P].

满生彰 .

中国专利 :CN105914211A ,2016-08-31

[2]

制造半导体器件的方法 [P].

川嶋祥之 ;

吉田省史 .

中国专利 :CN105489557A ,2016-04-13

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

清水达雄 ;

山口豪 ;

西川幸江 .

中国专利 :CN1677691A ,2005-10-05

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

鸟羽功一 ;

石井泰之 ;

川岛祥之 ;

町田悟 ;

中川宗克 ;

桥本孝司 .

中国专利 :CN101051652B ,2007-10-10

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤英纪 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN1574298A ,2005-02-02

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

阿部真一郎 ;

桥本孝司 ;

山越英明 ;

大水祐人 .

中国专利 :CN109148465A ,2019-01-04

[8]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

三原龙善 .

中国专利 :CN105390450A ,2016-03-09

[9]

用于制造半导体器件和功率半导体器件的方法 [P].

R.哈泽 ;

M.H.韦莱迈尔 .

中国专利 :CN108122746B ,2018-06-05

[10]

半导体器件的制造方法、半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111106113A ,2020-05-05

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	公开	公开
2016-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101650498099 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2014100328355 申请日:20140123
2015-11-18	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723894122 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2014100328355 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京都
2019-04-02	授权	授权
2022-01-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/11563 申请日:20140123 授权公告日:20190402 终止日期:20210123