用于制造半导体器件和功率半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711225347.6

申请日：

2017-11-29

公开(公告)号：

CN108122746B

公开(公告)日：

2018-06-05

发明(设计)人：

R.哈泽 M.H.韦莱迈尔

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2940 H01L29423

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;杜荔南

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-04	授权	授权
2018-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20171129
2018-06-05	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

清水达雄 ;

山口豪 ;

西川幸江 .

中国专利 :CN1677691A ,2005-10-05

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

塚本惠介 ;

三原龙善 .

中国专利 :CN103985673B ,2014-08-13

[4]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[5]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120077756A ,2025-05-30

[6]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN119422224A ,2025-02-11

[7]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[8]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[9]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[10]

功率半导体器件和功率半导体器件的制造方法 [P].

D·卡塞斯 ;

A·科泽尼茨 ;

H·舒尔茨 ;

F·乌姆巴赫 .

中国专利 :CN115706008A ,2023-02-17

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