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用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280100761.7
申请日：
2022-10-10
公开(公告)号：
CN120077756A
公开(公告)日：
2025-05-30
发明(设计)人：
S·沃思 L·克诺尔
申请人：
日立能源有限公司
申请人地址：
瑞士苏黎世
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/60 H10D64/23 H10D84/03
代理机构：
北京市汉坤律师事务所 11602
代理人：
王其文;张涛
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-30 公开 公开
2025-06-17 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20221010
共 50 条
[1]
用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P]. 
S·沃思 ;
L·克诺尔 .
:CN119422224A ,2025-02-11
[2]
功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
D·特拉塞尔 ;
H·拜尔 ;
M·马利基 .
:CN116830247B ,2024-08-09
[3]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
U·维穆拉帕蒂 ;
J·沃贝基 ;
T·维克斯特罗 ;
T·斯蒂亚斯尼 .
:CN120677849A ,2025-09-19
[4]
功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P]. 
洪性兆 ;
姜守昶 ;
杨河龙 ;
徐永浩 .
中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06
[5]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11
[6]
功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P]. 
C·奎斯特-马特 ;
D·巴贡 ;
D·沃尔夫 .
中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06
[7]
功率半导体器件和功率半导体器件的制造方法 [P]. 
D·卡塞斯 ;
A·科泽尼茨 ;
H·舒尔茨 ;
F·乌姆巴赫 .
中国专利 :CN115706008A ,2023-02-17
[8]
用于制造功率半导体器件的工艺和相应功率半导体器件 [P]. 
A·瓜尼拉 ;
M·G·萨吉奥 ;
F·弗里西纳 .
中国专利 :CN101467258B ,2009-06-24
[9]
功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法 [P]. 
F·普菲尔施 ;
H-J·舒尔茨 ;
V·范特里克 .
德国专利 :CN119743963A ,2025-04-01
[10]
用于制造半导体器件和功率半导体器件的方法 [P]. 
R.哈泽 ;
M.H.韦莱迈尔 .
中国专利 :CN108122746B ,2018-06-05
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