用于制造功率半导体器件的工艺和相应功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680054992.X

申请日：

2006-04-21

公开(公告)号：

CN101467258B

公开(公告)日：

2009-06-24

发明(设计)人：

A·瓜尼拉 M·G·萨吉奥 F·弗里西纳

申请人：

申请人地址：

意大利布里安扎

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21324 H01L2978 H01L2910 H01L21336 H01L29739 H01L29417 H01L29861 H01L2908 H01L29872 H01L2120

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

柯广华;王丹昕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-24	公开	公开
2012-02-08	授权	授权

共 50 条

[1]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN119422224A ,2025-02-11

[2]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120077756A ,2025-05-30

[3]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[4]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[5]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[6]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[7]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[8]

功率半导体器件和功率半导体器件的制造方法 [P].

D·卡塞斯 ;

A·科泽尼茨 ;

H·舒尔茨 ;

F·乌姆巴赫 .

中国专利 :CN115706008A ,2023-02-17

[9]

用于制造半导体器件和功率半导体器件的方法 [P].

R.哈泽 ;

M.H.韦莱迈尔 .

中国专利 :CN108122746B ,2018-06-05

[10]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

G·郎格尔 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN113140537A ,2021-07-20

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