功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480012006.2

申请日：

2024-03-26

公开(公告)号：

CN120677849A

公开(公告)日：

2025-09-19

发明(设计)人：

U·维穆拉帕蒂 J·沃贝基 T·维克斯特罗 T·斯蒂亚斯尼

申请人：

日立能源有限公司

申请人地址：

瑞士苏黎世

IPC主分类号：

H10D8/00

IPC分类号：

H10D18/60 H10D62/10 H10D62/13 H10D8/01 H10D18/01 H10D64/23

代理机构：

北京市汉坤律师事务所 11602

代理人：

魏小薇;吴丽丽

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-19	公开	公开
2025-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 8/00申请日:20240326

共 50 条

[1]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[2]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN119422224A ,2025-02-11

[3]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120077756A ,2025-05-30

[4]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[5]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

[6]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

中国专利 :CN114450783A ,2022-05-06

[7]

功率半导体器件和功率半导体器件的制造方法 [P].

D·卡塞斯 ;

A·科泽尼茨 ;

H·舒尔茨 ;

F·乌姆巴赫 .

中国专利 :CN115706008A ,2023-02-17

[8]

用于制造半导体器件和功率半导体器件的方法 [P].

R.哈泽 ;

M.H.韦莱迈尔 .

中国专利 :CN108122746B ,2018-06-05

[9]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

G·郎格尔 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN113140537A ,2021-07-20

[10]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

A·米哈埃拉 ;

G·罗马诺 ;

L·克诺尔 ;

N·多纳托 ;

F·乌德雷亚 .

:CN120615332A ,2025-09-09

← 1 2 3 4 5 →