功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380092865.2

申请日：

2023-01-31

公开(公告)号：

CN120615332A

公开(公告)日：

2025-09-09

发明(设计)人：

A·米哈埃拉 G·罗马诺 L·克诺尔 N·多纳托 F·乌德雷亚

申请人：

日立能源有限公司

申请人地址：

瑞士苏黎世

IPC主分类号：

H10D62/13

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/60 H10D30/01 H10D12/00 H10D12/01

代理机构：

北京市汉坤律师事务所 11602

代理人：

王其文;张涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/13申请日:20230131
2025-09-09	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[2]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

U·维穆拉帕蒂 ;

J·沃贝基 ;

T·维克斯特罗 ;

T·斯蒂亚斯尼 .

:CN120677849A ,2025-09-19

[3]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

G·郎格尔 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN113140537A ,2021-07-20

[4]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN119422224A ,2025-02-11

[5]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

A·韦迪 ;

C·埃勒斯 ;

A·昂劳 .

中国专利 :CN113206051A ,2021-08-03

[6]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

S·沃思 ;

L·诺尔 .

:CN119547578A ,2025-02-28

[7]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

A·韦迪 ;

C·埃勒斯 ;

A·昂劳 .

德国专利 :CN113206051B ,2025-04-29

[8]

用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件 [P].

S·沃思 ;

L·克诺尔 .

:CN120077756A ,2025-05-30

[9]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

洪性兆 ;

姜守昶 ;

杨河龙 ;

徐永浩 .

中国专利 :CN110098124A ,2019-08-06

[10]

功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法 [P].

C·奎斯特-马特 ;

D·巴贡 ;

D·沃尔夫 .

德国专利 :CN114450783B ,2025-11-11

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