半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120320648.9

申请日：

2011-08-30

公开(公告)号：

CN202205747U

公开(公告)日：

2012-04-25

发明(设计)人：

李铁生张磊

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号

IPC主分类号：

H01L2707

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王波波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-25	授权	授权
2019-08-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/07 申请日:20110830 授权公告日:20120425 终止日期:20180830

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 .

中国专利 :CN102456690B ,2012-05-16

[2]

半导体器件 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN202917488U ,2013-05-01

[3]

半导体器件 [P].

君塚直彦 ;

今井清隆 ;

益冈有里 ;

岩本敏幸 ;

西藤哲史 ;

渡边启仁 ;

多田鲇香 .

中国专利 :CN100388496C ,2005-11-30

[4]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[5]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

美国专利 :CN112534586B ,2025-03-04

[6]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

中国专利 :CN112534586A ,2021-03-19

[7]

与半导体器件集成的肖特基二极管 [P].

A·金德伦-汉森 ;

D·G·斯德鲁拉 ;

L·L·塞派希 ;

高田哲也 ;

让原逸男 ;

米山知宏 ;

细山田佑 .

美国专利 :CN118251768A ,2024-06-25

[8]

半导体器件的阱区 [P].

詹姆斯·B·伯尔 ;

迈克·飞尔汗 .

中国专利 :CN1732571A ,2006-02-08

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN102931191A ,2013-02-13

[10]

半导体器件的阱区 [P].

詹姆斯·B·伯尔 ;

迈克·飞尔汗 .

中国专利 :CN101604663B ,2009-12-16

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