半导体器件的阱区

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910140938.2

申请日：

2003-12-29

公开(公告)号：

CN101604663B

公开(公告)日：

2009-12-16

发明(设计)人：

詹姆斯·B·伯尔迈克·飞尔汗

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21768 H01L218238 H01L27088 H01L27092 H01L2352

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

屠长存

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-03	授权	授权
2010-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-16	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的阱区 [P].

詹姆斯·B·伯尔 ;

迈克·飞尔汗 .

中国专利 :CN1732571A ,2006-02-08

[2]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[3]

半导体器件 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN202917488U ,2013-05-01

[4]

半导体器件 [P].

君塚直彦 ;

今井清隆 ;

益冈有里 ;

岩本敏幸 ;

西藤哲史 ;

渡边启仁 ;

多田鲇香 .

中国专利 :CN100388496C ,2005-11-30

[5]

半导体器件 [P].

李铁生 ;

张磊 .

中国专利 :CN202205747U ,2012-04-25

[6]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

美国专利 :CN112534586B ,2025-03-04

[7]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

中国专利 :CN112534586A ,2021-03-19

[8]

阱等离子体诱导损伤保护电路以及制造半导体器件的方法 [P].

许嘉麟 ;

苏郁迪 .

中国专利 :CN118116925A ,2024-05-31

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 .

中国专利 :CN102456690B ,2012-05-16

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN102931191A ,2013-02-13

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