阱等离子体诱导损伤保护电路以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410051170.6

申请日：

2024-01-12

公开(公告)号：

CN118116925A

公开(公告)日：

2024-05-31

发明(设计)人：

许嘉麟苏郁迪

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/092 H01L21/8238

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/02申请日:20240112
2024-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

能够改善等离子体诱导损伤的半导体器件及其制造方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102983060A ,2013-03-20

[2]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[3]

半导体器件的等离子体处理方法及制造方法 [P].

橘内浩之 ;

妻木伸夫 ;

角田茂 ;

野尻一男 ;

高桥主人 .

中国专利 :CN1193812A ,1998-09-23

[4]

具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及形成方法 [P].

于奎龙 ;

王志强 ;

韩坤 .

中国专利 :CN106384734A ,2017-02-08

[5]

等离子体处理方法以及半导体装置的制造方法 [P].

田原慈 ;

西村荣一 ;

山下扶美子 ;

富田宽 ;

大岩德久 ;

大口寿史 ;

大村光广 .

中国专利 :CN102315095A ,2012-01-11

[6]

等离子体硅刻蚀方法以及半导体器件 [P].

陈国动 ;

姚立明 .

中国专利 :CN108766882B ,2018-11-06

[7]

等离子体设备和利用等离子体设备制造半导体器件的方法 [P].

金茂珍 ;

金俸奭 ;

具德滋 ;

禹济宪 ;

李彦柱 .

中国专利 :CN105097404B ,2015-11-25

[8]

双向高阻等离子体保护电路及其制造方法 [P].

于奎龙 ;

王志强 ;

韩坤 .

中国专利 :CN106206571B ,2016-12-07

[9]

等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法 [P].

滝正和 ;

津田睦 ;

新谷贤治 ;

今村谦 .

中国专利 :CN102473612A ,2012-05-23

[10]

功率MOSFET及其制造方法、包括其的半导体器件 [P].

前田大辉 .

中国专利 :CN101154686B ,2008-04-02

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