等离子体CVD装置、等离子体电极以及半导体膜的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080035372.8

申请日：

2010-04-26

公开(公告)号：

CN102473612A

公开(公告)日：

2012-05-23

发明(设计)人：

滝正和津田睦新谷贤治今村谦

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C16509

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

李今子

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-23	公开	公开
2019-04-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20100426 授权公告日:20150610 终止日期:20180426
2015-06-10	授权	授权
2012-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101282315685 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2010800353728 申请日:20100426

共 50 条

[1]

等离子体电极、等离子体处理电极、CVD电极、等离子体CVD装置及带薄膜的基材的制造方法 [P].

川下守 ;

江尻广惠 .

中国专利 :CN105659708A ,2016-06-08

[2]

等离子体成膜方法以及等离子体CVD装置 [P].

铃木正康 .

中国专利 :CN101874293B ,2010-10-27

[3]

等离子体处理装置以及等离子体CVD成膜方法 [P].

若松贞次 ;

龟崎厚治 ;

菊池正志 ;

神保洋介 ;

江藤谦次 ;

浅利伸 ;

内田宽人 .

中国专利 :CN102272897A ,2011-12-07

[4]

等离子体CVD装置及等离子体CVD方法 [P].

坂本桂太郎 ;

藤内俊平 ;

江尻广惠 ;

野村文保 .

中国专利 :CN105051252A ,2015-11-11

[5]

等离子体CVD用阴电极和等离子体CVD装置 [P].

铃木正康 .

中国专利 :CN101971292A ,2011-02-09

[6]

等离子体CVD装置和等离子体CVD法 [P].

小林忠正 ;

座间秀昭 .

中国专利 :CN111918982A ,2020-11-10

[7]

等离子体CVD装置、半导体膜的制造方法、薄膜太阳能电池的制造方法以及等离子体CVD装置的清洗方法 [P].

山向干雄 ;

折田泰 ;

山林弘也 .

中国专利 :CN102197158B ,2011-09-21

[8]

等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置 [P].

北川淳一 .

中国专利 :CN100429753C ,2006-03-15

[9]

等离子体CVD装置、等离子体CVD方法及搅拌装置 [P].

本多祐二 ;

阿部孝之 .

中国专利 :CN101939466A ,2011-01-05

[10]

等离子体处理装置以及半导体衬底的等离子体处理方法 [P].

上田博一 ;

西塚哲也 ;

野沢俊久 ;

松冈孝明 .

中国专利 :CN101861641B ,2010-10-13

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