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半导体器件的阱区
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN200380108046.5
申请日：
2003-12-29
公开(公告)号：
CN1732571A
公开(公告)日：
2006-02-08
发明(设计)人：
詹姆斯·B·伯尔
迈克·飞尔汗
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
H01L27092
IPC分类号：
代理机构：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人：
张龙哺;郑特强
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2009-06-17 | 授权 | 授权 |
| 2009-10-07 | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更后权利人:美国内华达 登记生效日:20090828 变更事项:专利权人 变更前权利人:全美达股份有限责任公司 变更后权利人:知识风险基金有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国加利福尼亚州 |
| 2006-02-08 | 公开 | 公开 |
| 2006-04-05 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2009-10-07 | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) | 专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人 变更前权利人:全美达股份有限公司 变更后权利人:全美达股份有限责任公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国加利福尼亚州 变更后权利人:美国加利福尼亚州 登记生效日:20090828 |