宽带隙半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980049518.5

申请日：

2019-07-05

公开(公告)号：

CN112534586A

公开(公告)日：

2021-03-19

发明(设计)人：

世亨·柳

申请人：

申请人地址：

美国北卡罗来纳州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L2912

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

刘梅

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-31	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人变更前:克利公司变更后:沃孚半导体公司变更事项:地址变更前:美国北卡罗来纳州变更后:美国北卡罗来纳州
2021-03-19	公开	公开
2021-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190705

共 50 条

[1]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

美国专利 :CN112534586B ,2025-03-04

[2]

宽带隙半导体器件 [P].

上野胜典 .

中国专利 :CN101877529A ,2010-11-03

[3]

宽带隙半导体器件 [P].

丹尼尔·屈克 ;

托马斯·艾兴格尔 ;

弗朗茨·希尔勒 ;

安东·毛德 .

中国专利 :CN106449728A ,2017-02-22

[4]

半导体器件 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN202917488U ,2013-05-01

[5]

半导体器件 [P].

君塚直彦 ;

今井清隆 ;

益冈有里 ;

岩本敏幸 ;

西藤哲史 ;

渡边启仁 ;

多田鲇香 .

中国专利 :CN100388496C ,2005-11-30

[6]

半导体器件 [P].

李铁生 ;

张磊 .

中国专利 :CN202205747U ,2012-04-25

[7]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[8]

宽带隙半导体器件和用于形成宽带隙半导体器件的方法 [P].

T.艾兴格 ;

G.雷舍尔 ;

M.施塔特米勒 .

中国专利 :CN110349853A ,2019-10-18

[9]

半导体器件的漂移阱中的宽带隙材料 [P].

E·艾舒恩 .

美国专利 :CN118866960A ,2024-10-29

[10]

宽带隙半导体器件和形成宽带隙半导体器件的方法 [P].

J.卢茨 ;

R.鲁普 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN110034173B ,2019-07-19

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