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半导体器件的漂移阱中的宽带隙材料
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410496334.6
申请日：
2024-04-24
公开(公告)号：
CN118866960A
公开(公告)日：
2024-10-29
发明(设计)人：
E·艾舒恩
申请人：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址：
美国德克萨斯州
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/06
H01L21/336
代理机构：
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245
代理人：
袁策
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-10-29 | 公开 | 公开 |