宽带隙半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610631426.6

申请日：

2016-08-04

公开(公告)号：

CN106449728A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

丹尼尔·屈克托马斯·艾兴格尔弗朗茨·希尔勒安东·毛德

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2910 H01L29739 H01L2978 H01L21336 H01L2134

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

唐京桥;李春晖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708616962 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2016106314266 申请日:20160804
2017-02-22	公开	公开
2020-03-06	授权	授权

共 50 条

[1]

宽带隙半导体器件 [P].

上野胜典 .

中国专利 :CN101877529A ,2010-11-03

[2]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

美国专利 :CN112534586B ,2025-03-04

[3]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

中国专利 :CN112534586A ,2021-03-19

[4]

宽带隙半导体器件和用于形成宽带隙半导体器件的方法 [P].

T.艾兴格 ;

G.雷舍尔 ;

M.施塔特米勒 .

中国专利 :CN110349853A ,2019-10-18

[5]

宽带隙半导体器件及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN104508824A ,2015-04-08

[6]

宽带隙半导体器件和形成宽带隙半导体器件的方法 [P].

J.卢茨 ;

R.鲁普 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN110034173B ,2019-07-19

[7]

宽带隙半导体器件的冷却 [P].

B.阿戈斯蒂尼 ;

D.托雷辛 ;

F.阿戈斯蒂尼 ;

M.哈伯特 ;

M.拉希莫 .

中国专利 :CN107452697A ,2017-12-08

[8]

宽带隙半导体中的功率器件 [P].

小詹姆斯·艾伯特·库珀 ;

迈克尔·R·梅洛奇 ;

贾亚拉玛·谢诺伊 ;

简·斯皮茨 .

中国专利 :CN1156017C ,2001-03-07

[9]

具有沟槽栅极结构的宽带隙半导体器件 [P].

R·西明耶科 ;

T·艾钦格 ;

W·伯格纳 ;

R·埃斯特夫 ;

K·费尔德拉普 ;

D·屈克 ;

D·彼得斯 ;

R·拉普 ;

C·施特伦格 ;

B·齐佩利乌斯 .

中国专利 :CN107452803A ,2017-12-08

[10]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111295763A ,2020-06-16

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