具有沟槽栅极结构的宽带隙半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710368872.7

申请日：

2017-05-23

公开(公告)号：

CN107452803A

公开(公告)日：

2017-12-08

发明(设计)人：

R·西明耶科 T·艾钦格 W·伯格纳 R·埃斯特夫 K·费尔德拉普 D·屈克 D·彼得斯 R·拉普 C·施特伦格 B·齐佩利乌斯

申请人：

申请人地址：

德国诺伊比贝尔格

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

郑立柱;张宁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170523
2017-12-08	公开	公开
2021-01-15	授权	授权

共 50 条

[1]

宽带隙半导体器件 [P].

丹尼尔·屈克 ;

托马斯·艾兴格尔 ;

弗朗茨·希尔勒 ;

安东·毛德 .

中国专利 :CN106449728A ,2017-02-22

[2]

宽带隙半导体器件 [P].

上野胜典 .

中国专利 :CN101877529A ,2010-11-03

[3]

宽带隙半导体器件及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN104508824A ,2015-04-08

[4]

宽带隙半导体器件和用于形成宽带隙半导体器件的方法 [P].

T.艾兴格 ;

G.雷舍尔 ;

M.施塔特米勒 .

中国专利 :CN110349853A ,2019-10-18

[5]

具有栅极沟槽和掩埋的终端结构的功率半导体器件及相关方法 [P].

D·J·里切特恩沃尔纳 ;

E·R·万布鲁特 ;

B·胡尔 .

中国专利 :CN110036486A ,2019-07-19

[6]

宽带隙半导体器件的冷却 [P].

B.阿戈斯蒂尼 ;

D.托雷辛 ;

F.阿戈斯蒂尼 ;

M.哈伯特 ;

M.拉希莫 .

中国专利 :CN107452697A ,2017-12-08

[7]

包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件 [P].

D.彼得斯 .

中国专利 :CN114497204A ,2022-05-13

[8]

包含在接合衬垫之间的栅极指状物的宽带隙半导体器件 [P].

D.彼得斯 .

中国专利 :CN108878532B ,2018-11-23

[9]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

美国专利 :CN112534586B ,2025-03-04

[10]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

中国专利 :CN112534586A ,2021-03-19

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