宽带隙半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780096412.1

申请日：

2017-11-13

公开(公告)号：

CN111295763A

公开(公告)日：

2020-06-16

发明(设计)人：

中村俊一

申请人：

申请人地址：

日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2176 H01L21822 H01L2704 H01L2706 H01L2912

代理机构：

上海德昭知识产权代理有限公司 31204

代理人：

郁旦蓉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171113
2020-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111373546A ,2020-07-03

[2]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

日本专利 :CN111406323B ,2024-03-01

[3]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111406323A ,2020-07-10

[4]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111742412A ,2020-10-02

[5]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

日本专利 :CN111295764B ,2024-03-01

[6]

宽带隙半导体装置 [P].

末川英介 ;

鹿口直斗 ;

池上雅明 .

中国专利 :CN104282686A ,2015-01-14

[7]

宽带隙半导体装置 [P].

F·雷辛格 ;

M·赫尔 ;

T·艾兴格 ;

A·米哈伊洛夫 .

德国专利 :CN119521727A ,2025-02-25

[8]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111295764A ,2020-06-16

[9]

宽带隙半导体装置及宽带隙半导体装置的制造方法 [P].

前山雄介 ;

中村俊一 ;

大贯仁 .

中国专利 :CN114946037A ,2022-08-26

[10]

宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法 [P].

前山雄介 ;

中村俊一 ;

小笠原淳 ;

大泽良平 ;

涉川昭彦 .

中国专利 :CN107078167A ,2017-08-18

← 1 2 3 4 5 →