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宽带隙半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201780097069.2
申请日：
2017-12-14
公开(公告)号：
CN111406323A
公开(公告)日：
2020-07-10
发明(设计)人：
中村俊一
申请人：
申请人地址：
日本国东京都千代田区大手町二丁目2番1号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2912
代理机构：
上海德昭知识产权代理有限公司 31204
代理人：
郁旦蓉
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-08-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171214 |
| 2020-07-10 | 公开 | 公开 |