共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
宽带隙半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411090032.5
申请日：
2024-08-09
公开(公告)号：
CN119521727A
公开(公告)日：
2025-02-25
发明(设计)人：
F·雷辛格
M·赫尔
T·艾兴格
A·米哈伊洛夫
申请人：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址：
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－15号
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D30/01
H10D12/01
H10D12/00
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：
申屠伟进;陈晓
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-25 | 公开 | 公开 |