宽带隙半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410320367.1

申请日：

2014-07-04

公开(公告)号：

CN104282686A

公开(公告)日：

2015-01-14

发明(设计)人：

末川英介鹿口直斗池上雅明

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L29739

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	公开	公开
2015-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101598153807 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2014103203671 申请日:20140704
2017-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111373546A ,2020-07-03

[2]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

日本专利 :CN111406323B ,2024-03-01

[3]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111406323A ,2020-07-10

[4]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

日本专利 :CN111295764B ,2024-03-01

[5]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111295764A ,2020-06-16

[6]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111295763A ,2020-06-16

[7]

宽带隙半导体装置 [P].

F·雷辛格 ;

M·赫尔 ;

T·艾兴格 ;

A·米哈伊洛夫 .

德国专利 :CN119521727A ,2025-02-25

[8]

宽带隙半导体装置 [P].

中村俊一 .

中国专利 :CN111742412A ,2020-10-02

[9]

宽带隙半导体装置及宽带隙半导体装置的制造方法 [P].

前山雄介 ;

中村俊一 ;

大贯仁 .

中国专利 :CN114946037A ,2022-08-26

[10]

宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法 [P].

前山雄介 ;

中村俊一 ;

小笠原淳 ;

大泽良平 ;

涉川昭彦 .

中国专利 :CN107078167A ,2017-08-18

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