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半导体器件和半导体器件的制备方法
被引:0
申请号
:
CN202011643648.2
申请日
:
2020-12-30
公开(公告)号
:
CN114695525A
公开(公告)日
:
2022-07-01
发明(设计)人
:
裴轶
宋晰
申请人
:
申请人地址
:
215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
IPC主分类号
:
H01L2940
IPC分类号
:
H01L2920
H01L29778
H01L21335
代理机构
:
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
:
刘曾
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-07-19
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20201230
2022-07-01
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的制备方法
[P].
裴轶
论文数:
0
引用数:
0
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0
裴轶
;
宋晰
论文数:
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宋晰
.
中国专利
:CN114695523A
,2022-07-01
[2]
半导体器件和半导体器件的制备方法
[P].
裴轶
论文数:
0
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0
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机构:
苏州能讯高能半导体有限公司
苏州能讯高能半导体有限公司
裴轶
;
宋晰
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机构:
苏州能讯高能半导体有限公司
苏州能讯高能半导体有限公司
宋晰
.
中国专利
:CN114695523B
,2025-12-05
[3]
半导体器件和制备半导体器件的方法
[P].
皇甫幼睿
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皇甫幼睿
.
中国专利
:CN109860022B
,2019-06-07
[4]
半导体器件和半导体器件的制备方法
[P].
许建华
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许建华
;
乐伶聪
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乐伶聪
;
杨天应
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杨天应
.
中国专利
:CN114420657B
,2022-04-29
[5]
半导体器件和制备半导体器件的方法
[P].
皇甫幼睿
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皇甫幼睿
.
中国专利
:CN105264674B
,2016-01-20
[6]
半导体器件和半导体器件的制备方法
[P].
曹堪宇
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
曹堪宇
;
应鹏展
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
应鹏展
;
李逛城
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
李逛城
;
谢晨帆
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
谢晨帆
;
陆丹晨
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
陆丹晨
;
张新成
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
张新成
.
中国专利
:CN119383962A
,2025-01-28
[7]
半导体器件和半导体器件的制备方法
[P].
曹堪宇
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
曹堪宇
;
应鹏展
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
应鹏展
;
李逛城
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
李逛城
;
谢晨帆
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
谢晨帆
;
陆丹晨
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长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
陆丹晨
;
张新成
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机构:
长鑫科技集团股份有限公司
长鑫科技集团股份有限公司
张新成
.
中国专利
:CN119383962B
,2025-10-21
[8]
半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装
[P].
崔洛俊
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崔洛俊
;
金炳祚
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金炳祚
;
吴炫智
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吴炫智
;
洪埩熀
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洪埩熀
.
中国专利
:CN109417112B
,2019-03-01
[9]
半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装
[P].
崔洛俊
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
崔洛俊
;
金炳祚
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
金炳祚
;
吴炫智
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
吴炫智
;
洪埩熀
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
洪埩熀
.
中国专利
:CN115101641B
,2025-03-28
[10]
半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装
[P].
崔洛俊
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0
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
崔洛俊
;
金炳祚
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
金炳祚
;
吴炫智
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
吴炫智
;
洪埩熀
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机构:
苏州立琻半导体有限公司
苏州立琻半导体有限公司
洪埩熀
.
中国专利
:CN120091672A
,2025-06-03
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