半导体器件和制备半导体器件的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201380004030.3
申请日
2013-12-20
公开(公告)号
CN105264674B
公开(公告)日
2016-01-20
发明(设计)人
皇甫幼睿
申请人
申请人地址
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L2131
代理机构
北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329
代理人
毛威;张亮
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和制备半导体器件的方法 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN109860022B ,2019-06-07
[2]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
许建华 ;
乐伶聪 ;
杨天应 .
中国专利 :CN114420657B ,2022-04-29
[3]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
裴轶 ;
宋晰 .
中国专利 :CN114695525A ,2022-07-01
[4]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN119743970A ,2025-04-01
[5]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN119743970B ,2025-09-23
[6]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
应鹏展 ;
李逛城 ;
谢晨帆 ;
陆丹晨 ;
张新成 .
中国专利 :CN119383962A ,2025-01-28
[7]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
应鹏展 ;
李逛城 ;
谢晨帆 ;
陆丹晨 ;
张新成 .
中国专利 :CN119383962B ,2025-10-21
[8]
半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装 [P]. 
崔洛俊 ;
金炳祚 ;
吴炫智 ;
洪埩熀 .
中国专利 :CN109417112B ,2019-03-01
[9]
半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装 [P]. 
崔洛俊 ;
金炳祚 ;
吴炫智 ;
洪埩熀 .
中国专利 :CN115101641B ,2025-03-28
[10]
半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装 [P]. 
崔洛俊 ;
金炳祚 ;
吴炫智 ;
洪埩熀 .
中国专利 :CN120091672A ,2025-06-03