半导体器件的制备方法和半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411967403.3
申请日
2024-12-30
公开(公告)号
CN119743970B
公开(公告)日
2025-09-23
发明(设计)人
李翔
申请人
芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
申请人地址
312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号
IPC主分类号
H10D30/01
IPC分类号
H10D30/47 H10D64/27 H10D64/01 H01L21/28
代理机构
苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502
代理人
李洋;刘鹤
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
李翔 .
中国专利 :CN119743970A ,2025-04-01
[2]
半导体器件和制备半导体器件的方法 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN109860022B ,2019-06-07
[3]
半导体器件和制备半导体器件的方法 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN105264674B ,2016-01-20
[4]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;
余典卫 ;
蔡家铭 .
中国专利 :CN113314530A ,2021-08-27
[5]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;
余典卫 ;
蔡家铭 .
中国专利 :CN113314530B ,2025-11-04
[6]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
裴轶 ;
宋晰 .
中国专利 :CN114695523A ,2022-07-01
[7]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110890368A ,2020-03-17
[8]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
许建华 ;
乐伶聪 ;
杨天应 .
中国专利 :CN114420657B ,2022-04-29
[9]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
杜国安 ;
邓放心 ;
曹宇 .
中国专利 :CN118973260A ,2024-11-15
[10]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
罗珉权 ;
金学云 ;
金成哲 ;
朱宁炳 ;
李宙相 .
中国专利 :CN119324182A ,2025-01-17