制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110171171.0

申请日：

2021-02-08

公开(公告)号：

CN113314530B

公开(公告)日：

2025-11-04

发明(设计)人：

沙哈吉·B·摩尔钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特余典卫蔡家铭

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10D84/83

IPC分类号：

H10D84/01

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	授权	授权

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;

余典卫 ;

蔡家铭 .

中国专利 :CN113314530A ,2021-08-27

[2]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

李宜静 ;

柯志欣 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN111261522A ,2020-06-09

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713B ,2025-02-28

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

陈建颖 ;

张哲诚 ;

林志翰 .

中国专利 :CN112447713A ,2021-03-05

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

山田敦史 ;

温井健司 .

中国专利 :CN103715084A ,2014-04-09

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102856246B ,2013-01-02

[7]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;

余典卫 ;

蔡家铭 .

中国专利 :CN113380890A ,2021-09-10

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

张世杰 ;

李承翰 ;

李佩珊 .

中国专利 :CN113690141B ,2024-03-22

[9]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

杜文仙 ;

李暐凡 .

中国专利 :CN112242434A ,2021-01-19

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;

余典卫 ;

蔡家铭 .

中国专利 :CN113380890B ,2025-07-29

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