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制造半导体器件的方法和半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201911205240.4
申请日：
2019-11-29
公开(公告)号：
CN111261522A
公开(公告)日：
2020-06-09
发明(设计)人：
李宜静
柯志欣
万幸仁
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L218234
H01L2978
H01L2949
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-06-09 | 公开 | 公开 |
| 2020-07-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20191129 |