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制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110034133.0
申请日：
2021-01-12
公开(公告)号：
CN113380890B
公开(公告)日：
2025-07-29
发明(设计)人：
沙哈吉·B·摩尔 钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 余典卫 蔡家铭
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹
IPC主分类号：
H10D30/60
IPC分类号：
H10D64/27 H10D30/01 H10D84/85
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-29 授权 授权
共 50 条
[1]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;
余典卫 ;
蔡家铭 .
中国专利 :CN113380890A ,2021-09-10
[2]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
李宜静 ;
柯志欣 ;
万幸仁 .
中国专利 :CN111261522A ,2020-06-09
[3]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特 ;
蔡家铭 ;
陈明德 ;
余典卫 .
中国专利 :CN112447830A ,2021-03-05
[4]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特 ;
蔡家铭 ;
陈明德 ;
余典卫 .
中国专利 :CN112447830B ,2024-08-27
[5]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
高境鸿 .
中国专利 :CN115424929A ,2022-12-02
[6]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;
余典卫 ;
蔡家铭 .
中国专利 :CN113314530A ,2021-08-27
[7]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
沙哈吉·B·摩尔 ;
钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 ;
余典卫 ;
蔡家铭 .
中国专利 :CN113314530B ,2025-11-04
[8]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
韩蕙安 ;
刘定一 ;
范彧达 ;
许凯翔 .
中国专利 :CN111129147A ,2020-05-08
[9]
半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
朱龙琨 ;
黄懋霖 ;
徐崇威 ;
余佳霓 ;
江国诚 ;
王志豪 .
中国专利 :CN113314523A ,2021-08-27
[10]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
钱德拉谢卡尔·普拉卡什·萨万特 ;
张景舜 ;
余典卫 ;
蔡家铭 ;
陈明德 .
中国专利 :CN111128737A ,2020-05-08
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